II-VI grubu yariletken bileşiklerinden olan CdSe ve CdS ince filmleri düşük derişimlerde öncü çözeltiler kullanılarak elektrokimyasal kaplama yöntemiyle başarılı bir şekilde üretilmiştir. Üretilen ince filmlerin optiksel özellikleri 300-850 nm dalga boyu aralığında incelenmiştir. CdSe ve CdS ince filmlerinin soğurma katsayılarının sırasıyla 5.8x105 m-1 ve 8.9x106 m-1, direkt enerji band aralıkları 2.72 eV ve 2.75 eV tur. CdSe ince filminin ortalama geçirgenik değeri 85% iken CdS ince filminin ortalama geçirgenlik değeri 8% dir. CdSe ve CdS ince filmlerinin maksimum sönüm katsayısı değerleri sırasıyla 0.033 ve 0.51 ve kırılma indisi değerleri sırasıyla 1.14 ve 1.35 tir. Ayrıca ince filmlerin optiksel dielektrik sabitleri belirlenmiştir. CdSe ince filminin ortalama gerçek dielektrik sabiti, sanal dielektrik sabiti, dielektrik kaybı ve optiksel iletkenlik değerleri sırasıyla 1.24, 0.05, 0.04 ve 1.38x1014 iken CdS ince filminin 1.51, 0.94, 0.64 ve 2.49x1015 olarak belirlenmiştir.
CdSe and CdS thin films, one of the II-VI group semiconductor compounds, were successfully grown by electrochemical deposition method using low concentrations of precursor solutions. Optical properties of the fabricated thin films were investigated in the 300 – 850 nm wavelength range. The absorption coefficients of CdSe and CdS thin films were found to be as 5.8 x 105 m-1 and 8.9 x 106 m-1, respectively, and direct energy band gaps these thin films were determined 2.72 eV and 2.75 eV. While the average transmission value of the CdSe was 85%, that of the CdS was 8%. Additionally, extinction coefficient values of the CdSe and CdS thin films were defined as 0.033 and 0.51, respectively and refractive index values of these were determined as 1.14 and 1.35. Besides, optical dielectric constants of thin films were examined. While the real dielectric constant, imaginary dielectric constant, dielectric loss and optical conductivity values of the CdSe were 1.24, 0.05, 0.004 and 1.38x1014, those of CdS thin film were 1.51, 0.94, 0.64 and 2.49x1015.